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英特尔将推出晶体管新技术

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来源: 作者: 2019-05-16 22:50:14

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英特尔将推出晶体管新技术2005/9/22来源:分享据报道,英特尔将于美国当地时间9月20日周二对外公布一项晶体管新技术,即与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流65纳米工艺的晶体管电流泄漏已下降1000倍左右。 据报道,英特尔将于美国当地时间9月20日周二对外公布一项晶体管新技术,即与该公司当前标准工艺相比,采用新型超低电流65纳米工艺的晶体管电流泄漏已下降1000倍左右。

英特尔最近已将晶体管长度由原先的90纳米(1纳米长度为1米的十亿分之一)缩短为65纳米,从而可使单一芯片上的晶体管数量再增加一倍。晶体管数量的增加,将使电流漏洞变得更难控老中医推崇:8大补气食物延年益寿
制,并导致发热量增加。英特尔称,由于在设计上作了改进,使三个主要泄漏源(亚阀、接口及门氧化泄漏)的控制得到了重大改进。

英特尔架构和整合部门高级研发人员及主管马克-波尔(Mark Bohr)说:“对基于英特尔超低电流65纳米工艺的芯片进行检测后发现,与之前的标准工艺相比,新工艺晶体管电流泄漏已下如何做水煮鱼
降了1000倍左右。如此一来,新产品的节能性将大为提高。”市场调查公司In-Stat首席分析师吉姆-麦格雷格(Jim McGregor)说:“如果英特尔能将新产品运用上面,无疑将面临巨大商机。”

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